单项选择题
SRAM和DRAM存储原理不同，它们分别靠（）来存储0和1的。
A.双稳态触发器的两个稳态和极间是否有足够的电荷
B.内部熔丝是否断开和双稳态触发器
C.极间电荷和浮置栅是否积累足够的电荷
D.极间是否有足够的电荷和双稳态触发器的两个稳态
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单项选择题
掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1，如果对应的某存储单元位没有连接MOS管，则该位信息为（）。
A.不确定
B.0
C.1
D.可能为0，也可能为1 -
单项选择题
某一EPROM芯片，其容量为32K×8，除电源和地线外，最小的输入引脚和输出引脚分别为（）。
A.15和8
B.32和8
C.17和8
D.18和10 -
单项选择题
存储周期指的是（）。
A.存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔
B.存储器的读出周期
C.存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔
D.存储器的写入周期
