化学气相淀积SiO₂与热生长SiO₂相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 
1.热生长SiO₂只能在Si衬底上生长；
2.CVD SiO₂可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上；
3.CVD SiO₂，衬底硅不参加反应；
4.CVD SiO₂，温度低。

A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4