单项选择题
某电容位移传感器，当被测位移变化量∆X=40，相应输出电容变化量∆C=20pF，其平均灵敏度为（）。
A.2PF/μm
B.2μm/PF
C.0.5PF/μm
D.0.5μm/PF
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单项选择题
下列制作霍尔片材料的是（）。
A.氧化锆
B.N型锗
C.锑化铟
D.砷化铟 -
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A.电路元件
B.转换元件
C.弹性元件
D.感知元件 -
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热电偶是基于热电效应原理制成的（）。
A.压力传感器
B.温度传感器
C.速度传感器
D.流量传感器
