问答题
计算题
已知某DRAM芯片的内部结构为128×128，存取周期为1us。试分析：
（1）若采用集中式刷新方式，刷新时间间隔为1ms，则读写时间和刷新时间分为多少个周期？死区占多少时间？
（2）若采用分散式刷新方式，则相邻两行之间的刷新间隔是多少？
【参考答案】
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问答题
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