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填空题

UO2+x在氧化气氛中可形成()型非计量化合物,可形成()型半导体,缺陷浓度与氧分压的1/6次方成(),如果减少周围氧气的分压,UO2+x的密度将()

    【参考答案】

    阴离子间隙型;P;正比;增大

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