问答题

案例分析题

如图，两块位于x=0和x=d处无限大导体平板的电位分别为0、U₀，其内部充满体密度ρ=ρ₀（1-e^x-d）的电荷（设内部介电常数为ε₀）。为一维边值问题：Φ=Φ（x）边界条件：Φ（x=0）=0，Φ（x=d）=U₀

求利用直接积分法计算0 < x < d区域的电位Φ及电场强度

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填空题理想导体与电介质的界面上，表面自由电荷面密度ρs与电位沿其法向的方向导数的关系为（）。
填空题如图，分别为两种电介质内静电场在界面上的电场强度，ε2=3ε1，θ1=30°，则θ2=（），=（）。
填空题对于两种不同电介质的分界面，电场强度的（）分量及电位移的（）分量总是连续的。
填空题介电常数为ε的线性、各向同性的媒质中的静电场储能密度为（）。
填空题电位Φ和电场强度满足的泊松方程分别为（）、（）。
填空题设无限大真空区域自由电荷体密度为ρ，则静电场：=（），=（）。
填空题静电场中电位Φ与电场强度的关系为（）；在两种不同的电介质（介电常数分别为ε1和ε2）的分界面上，电位满足的边界条件为（）。
问答题求球面上的面电流密度Js大小
问答题求常数A
问答题求球面内外的体电荷密度。
问答题求球面上的面电荷密度。
问答题求常数B。
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单项选择题设自由真空区域电场强度，其中为常数。则空间位移电流密度（A/m2）为：（）
单项选择题两种不同的理想介质的交界面上（）
单项选择题设理想导体的表面A的电场强度为、磁场强度为，则（）
填空题电流连续性方程的微分和积分形式分别为（）和（）。
填空题亥姆霍兹定理指出，若唯一地确定一个矢量场（场量为），则必须同时给定该场矢量的（）及（）
填空题写出线性和各项同性介质中场量所满足的方程（结构方程）：（）。
填空题已知矢量场，则在M（1，1，1）处=（）