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问答题
简答题
SiO
2
作为保护膜时为什么需要采用低温工艺?目前低温SiO
2
工艺有哪些方法?它们降低制备温度的原理是什么?
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问答题
薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢,因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜,而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜?
问答题
在p-Si中扩磷13分钟,测得结深为0.5μm,为使结深达到1.5μm,在原条件下还要扩散多长时间?然后,进行湿氧化,氧化层厚0.2μm时,结深是多少?(湿氧速率很快, 短时间的氧化,忽略磷向硅内部的推进)
问答题
什么是沟道效应?如何才能避免?
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