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单项选择题
一般将IP上产生（）的照射量作为基础的目标照射量.
A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR -
单项选择题
CR的第三象限英文简称（）.
A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP -
单项选择题
CR四象限理论中，第四象限对应的曲线为（）.
A.照片特性曲线
B.增感屏特性曲线
C.IP特性曲线
D.光激励荧光物的特性曲线
E.FPD特性曲线
