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单项选择题

A1型题

关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()

    A.突触前轴突末梢超极化
    B.突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大
    C.突触后膜去极化
    D.突触后膜电位负值增大,出现超极化
    E.突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大

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  • 单项选择题
    不影响肺泡气吸入麻醉药浓度的变化的是()

    A.肺血流量
    B.挥发器开启浓度
    C.新鲜气流量
    D.分钟通气量
    E.麻醉药MAC

  • 单项选择题
    能增加脑代谢率的是()

    A.硫喷妥钠
    B.依托咪酯
    C.氯胺酮
    D.丙泊酚
    E.安定

  • 单项选择题
    关于麻醉气体的弥散,正确的叙述是()

    A.弥散是指气体从分压高的地方向分压低的地方移动
    B.弥散是指气体自由的移动
    C.弥散是指气体从分压低的地方向分压高的地方移动
    D.麻醉气体弥散在麻醉诱导是从分压高的地方向分压低的地方移动,清醒时从分压低的地方向分压高的地方移动
    E.麻醉气体弥散在麻醉诱导是从分压低的地方向分压高的地方移动,清醒时是从分压高的地方向分压低的地方移动

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