单项选择题
A1型题
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
A.突触前轴突末梢超极化
B.突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大
C.突触后膜去极化
D.突触后膜电位负值增大,出现超极化
E.突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大
点击查看答案
相关考题
-
单项选择题
不影响肺泡气吸入麻醉药浓度的变化的是()
A.肺血流量
B.挥发器开启浓度
C.新鲜气流量
D.分钟通气量
E.麻醉药MAC -
单项选择题
能增加脑代谢率的是()
A.硫喷妥钠
B.依托咪酯
C.氯胺酮
D.丙泊酚
E.安定 -
单项选择题
关于麻醉气体的弥散,正确的叙述是()
A.弥散是指气体从分压高的地方向分压低的地方移动
B.弥散是指气体自由的移动
C.弥散是指气体从分压低的地方向分压高的地方移动
D.麻醉气体弥散在麻醉诱导是从分压高的地方向分压低的地方移动,清醒时从分压低的地方向分压高的地方移动
E.麻醉气体弥散在麻醉诱导是从分压低的地方向分压高的地方移动,清醒时是从分压高的地方向分压低的地方移动
