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填空题
用C-V测试可以测定二氧化硅薄膜的：（）
【参考答案】
界面态密度、可动电荷密度和固定电荷密度
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相关考题
填空题
氧化层厚度的测量方法主要有：（）。
填空题
氧化时（）称为分凝效应。B在氧化硅中的含量高于Si衬底中的含量，分凝系数（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si衬底中含量，分凝系数（）1。
填空题
Si衬底上热氧化的机理由（）模型确定。氧化反应的快慢与三个因素有关，即：（）。氧化层厚度的理论计算公式为：式中A、B为与扩散率成正比的常数，τ为由（）决定的时间修正系数。
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