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单项选择题
以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅？（）
A.降低衬底掺杂浓度
B.增加栅氧化层厚度
C.增加沟道宽度
D.减小沟道长度 -
单项选择题
以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流？（）
A.减小栅氧化层厚度
B.减小沟道宽度
C.提高阈值电压
D.增加沟道长度 -
单项选择题
ICBO代表（）时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。
A.发射极开路、集电结反偏
B.发射极反偏、集电结开路
C.发射极短路、集电结反偏
D.发射极正偏、集电结反偏
